به گزارش کارگروه بین‌الملل سایبربان، وزارت بازرگانی ایالات متحده آمریکا اعلام کرد که در حال نهایی کردن اعطای بسته‌ی کمک مالی ۴.۷۴۵ میلیارددلاری به شرکت سامسونگ الکترونیک کره جنوبی و ۱.۶۱ میلیارددلاری به شرکت تگزاس اینسترومنتس (Texas Instruments)برای گسترش و توسعه تولید تراشه است.
این وزارتخانه همچنین بسته‌ی کمک مالی تا سقف ۴۰۷ میلیون دلار را برای کمک به تأمین مالی شرکت آمکور تکنولوژی (Amkor Technology) در آریزونا اعطا خواهد کرد.
سخنگوی وزارت بازرگانی ایالات متحده آمریکا گفت:
بسته‌ی کمک مالی سامسونگ حدود ۱٫۷ میلیارد دلار کمتر از مقدار اولیه است که به ۶٫۴ میلیارد دلار می‌رسید و منعکس‌کننده برنامه‌های سرمایه‌گذاری کوچک‌تر بازنگری شده آن است. این وزارتخانه میزان کمک مالی را تغییر داد تا با شرایط بازار و دامنه سرمایه‌گذاری که شرکت انجام می‌دهد هماهنگ شود.
یکی از سخنگویان سامسونگ گفت:
برنامه سرمایه‌گذاری میان‌مدت تا بلندمدت برای بهینه‌سازی کارایی کلی سرمایه‌گذاری تا حدی بازنگری شده است.
سامسونگ از افشای جزئیات توافق خود با وزارت بازرگانی خودداری کرد.
در ماه آوریل، مقامات دولتی آمریکا اعلام کردند که سامسونگ قصد دارد تا سال ۲۰۳۰ حدود ۴۵ میلیارد دلار برای ساخت دو مرکز تولید تراشه، یک مرکز تحقیقاتی و یک مرکز بسته‌بندی سرمایه‌گذاری کند. اما چند روز قبل، وزارت بازرگانی آمریکا اعلام کرد که سامسونگ قصد دارد تا ۳۷ میلیارد دلار سرمایه‌گذاری و پروژه‌ها را تا پایان سال تکمیل نماید.
شرکت تگزاس اینسترومنتس متعهد شده است که تا سال ۲۰۲۹ بیش از ۱۸ میلیارد دلار در دو کارخانه جدید در تگزاس و یک کارخانه در یوتا سرمایه‌گذاری کند که انتظار می‌رود ۲۰۰۰ شغل تولیدی ایجاد شود.
شرکت آمکور تکنولوژی در آریزونا در صورت بهره‌برداری کامل، میلیون‌ها تراشه را برای وسایل نقلیه خودران، فناوری 5G/6G برای مراکز داده، بسته‌بندی و آزمایش خواهد کرد.
مدیرعامل آمکور، گیل روتن گفت:
این تأسیسات به‌عنوان سنگ بنای اساسی در ایجاد یک زنجیره تأمین تولید نیمه‌رسانا قوی در ایالات متحده عمل خواهد کرد.
کنگره‌ی آمریکا در سال ۲۰۲۲ برنامه‌ای برای پرداخت یارانه‌ی ۳۹ میلیارددلاری برای تولید نیمه‌رساناها در ایالات متحده تصویب کرد.
جینا ریماندو وزیر بازرگانی آمریکا گفت:
با این سرمایه‌گذاری در سامسونگ، ایالات متحده اکنون به طور رسمی تنها کشور جهان است که میزبان هر پنج تولیدکننده پیشرو نیمه‌رساناها است.
