به گزارش کارگروه فناوری اطلاعات سایبربان ؛ حتما خاطرتان هست که در ماه مه سال جاری میلادی، جو بایدن، رئیس جمهور ایالات متحده، از پردیس پیونگ تاک سامسونگ بازدید کرد. شرکت سامسونگ یک کارخانه پیشرفته را به رییس جمهور آمریکا نشان داد که روی یک فناوری فرآیند 3 نانومتری کار خواهد کرد. بازیگران صنعت تراشه سازی انتظار دارند تا غول کرهای تولید انبوه تراشه 3 نانومتری سامسونگ را در روزهای آینده شروع کند و رقیب خود یعنی TSMC را در تلاش برای تولید پیشرفتهترین تراشههای جهان شکست دهد.
تراشه 3 نانومتری سامسونگ
سامسونگ جاه طلبیهای بزرگی برای توسعه بخش نیمه هادی خود دارد و بخش مهمی از برنامه 205 میلیارد دلاری آن برای غلبه توسعه تراشه، رباتیک، هوش مصنوعی و داروسازی زیستی این شرکت برای 10 سال آینده است. کمتر از نیمی از این بودجه صرف کارخانههای تراشههای پیشرفته و تحقیق و توسعه فرآیندها و ترانزیستورهای جدید میشود.
با این حال، غول فناوری کرهای در راه ساخت فرآیندی کوچکتر در تراشههای خود مشکلات زیادی در بازدهی این تراشهها ایجاد کرده که بر برخی از بزرگترین مشتریانش مانند کوالکام تأثیر گذاشته است، و اکنون TSMC را برای تراشههای موبایل آینده در نظر گرفته است. انویدیا پس از مقابله با مشکلات عملکرد و راندمان انرژی نسبتا پایین با پردازندههای گرافیکی Ampere (که بر روی گره پردازشی 8 نانومتری سامسونگ ساخته شدهاند) برای محصولات نسل بعدی خود با TSMC همکاری میکند.
در آنسوی میدان، اینتل به رهبری پت گلسینگر، رقابت در عرصه تولید نیمه هادیها را تشدید میکند. سامسونگ باید در رقابت برای تولید تجاری تراشه 3 نانومتری دیگران را شکست دهد وگرنه نمیتواند مشتریان بزرگی مانند Nvidia، AMD، Apple و دیگران را جذب کند. TSMC میگوید در ماههای آینده تولید حجم را با فرآیند 3 نانومتری افزایش خواهد داد، بنابراین فرصت اندکی برای این شرکت باقی مانده است.
قطعا شرکت سامسونگ این موضوع را میداند و تلاش میکند تا به برنامه TSMC برسد. اما در حالی که این شرکت قصد داشت تولید تراشههای 3 نانومتری را تا پایان این ماه آغاز کند، این جدول زمانی ممکن است کمی بیشتر طول بکشد. در ماه آوریل، مدیران Samsung Foundry به سرمایه گذاران گفتند که تولید تجاری در عرض چند هفته آغاز میشود، اما هنوز شاهد به روزرسانی رسمی در این زمینه نیستیم.
گزارشهای رسانههای محلی در کره جنوبی نشان میدهد که سامسونگ در حال آماده شدن برای اعلام آغاز تولید 3 نانومتری احتمالاً در همین هفته است. این یک نمایش قدرت عالی در برابر رقیب TSMC خواهد بود، و همچنین به این معنی است که این شرکت کرهای اولین کسی خواهد بود که از ترانزیستورهای اثر میدانی گیت (GAAFET) استفاده میکند.
سامسونگ نسخه خود از ترانزیستورهای 3 نانومتری GAAFET را ترانزیستورهای اثر میدان چند کاناله چند پل مینامد، اما این فقط یک نام فنی برای ترانزیستورهایی است که به 50 درصد انرژی کمتر نیاز دارند، 45 درصد فضای کمتری را اشغال میکنند و میتوانند در ولتاژهای بسیار پایین پایدارتر کار کنند.
شایعات نشان میدهد که سامسونگ اولین مشتریان خود را نیز برای گره فرآیند جدید تضمین کرده است، بنابراین جالب است که ببینیم آیا این شرکت میتواند از تکرار اشتباهات 8 نانومتری و 4 نانومتری خود جلوگیری کند یا خیر. در هر صورت، کسبوکار ریختهگری ترانزیستورها نقش مهمی در سود نهایی سامسونگ دارد و بیش از نیمی از سود عملیاتی آن (حدود 6.7 میلیارد دلار و تغییرات) از بخش تراشهها ناشی میشود.
