about-3 back-contact back-deep eitaa کانال روبیکاخبرگزاری سایبربان
مطالب پربازدید
استفاده
1404/05/18 - 08:57- تروریسم سایبری

استفاده از مایکروسافت آژور برای جاسوسی از فلسطینیان

رژیم صهیونیستی از مایکروسافت آژور برای جاسوسی از فلسطینیان، آماده‌سازی حملات هوایی مرگبار و سازماندهی عملیات‌های نظامی در غزه و کرانه باختری استفاده می‌کند.

تمرکز
1404/06/26 - 14:35- جنگ سایبری

تمرکز اسرائیل بر «پیجر» و جنگ الکترونیک در نبردهای آینده با ایران

مقامات رژیم صهیونیستی، طراحی عملیات‌های غافلگیر کننده ای همچون عملیات پیجرها برای جنگ آینده با ایران را ضروری می دانند.

به نظر می‌آید شرکت TSMC کار تحقیق و توسعه بر روی فناوری ساخت تراشه‌های 1.4 نانومتری را آغاز کرده

به گزارش کارگروه فناوری اطلاعات سایبربان ؛ بر اساس گزارش‌های منتشر شده به نظر می‌آید شرکت TSMC کار تحقیق و توسعه بر روی فناوری ساخت تراشه‌های 1.4 نانومتری را آغاز کرده و به نظر می‌آید تراشه‌ساز تایوانی در آینده‌ای نزدیک جزئیات جدیدی درباره روند ساخت آنها منتشر کند.

در کارخانه‌های تولید پردازنده، فرایند تحقیق و توسعه هیچ‌گاه متوقف نمی‌شود. پس از آنکه TSMC اعلام کرد تولید ویفرهای مبتنی‌ بر لیتوگرافی دو نانومتری را در سال ۲۰۲۵ وارد مرحله‌ تولید انبوه می‌‌کند، ظاهراً این شرکت تایوانی به فکر توسعه لیتوگرافی پیشرفته‌تر افتاده است.

اگر شایعه‌ جدید حقیقت داشته باشد، TSMC در ماه آینده‌ میلادی رسماً فرایند تحقیق و توسعه‌ لیتوگرافی ۱.۴ نانومتری را آغاز خواهد کرد. به نظر می‌آید TSMC تصمیم گرفته تیم توسعه دهنده‌ نودهای 3 نانومتری خود را در ماه June، مسئول تحقیق و توسعه‌ فناوری ساخت تراشه‌های 1.4 نانومتری کند.

کارخانه‌ها و شرکت‌های طراح تراشه به‌طور معمول هیچ‌وقت زودتر از زمان رونمایی دستاوردهای جدید خود چیزی اعلام نمی‌کنند. بنابراین بعید است که TSMC رسما در ماه‌های آتی خبر تحقیق و توسعه خود بر روی فناوری 1.4 نانومتری را اعلام کند.

TSMC در اواسط ماه آینده‌ میلادی (حدوداً اواخر خرداد) کنفرانس جدیدی برگزار می‌کند. ممکن است در آن مراسم شاهد معرفی کوتاه فناوری بعد از N2 باشیم.

روند استاندارد توسعه‌ لیتوگرافی‌های جدید شامل فرایندی تحت عنوان مسیریابی و سپس آغاز مراحل تحقیق و توسعه می‌شود. تخمین زده می‌شود که مسیریابی برای نودهای 2 نانومتری به اتمام رسیده و تیم‌های فیزیک و شیمی متخصص در این زمینه کار تحقیقاتی برای نودهای 1.4 نانومتری را آغاز کرده‌اند.

لیتوگرافی N2 شرکت TSMC متکی‌بر ترانزیستورهای GAAFET است. با در نظر گرفتن اطلاعات منتشرشده درباره‌ N2 احتمال دارد نسخه‌ بعدی آن نیز همچنان از ترانزیستورهای GAA استفاده کند. نکته‌ مهم‌تر این است که شاید در روند تولید لیتوگرافی ۱.۴ نانومتری شاهد استفاده از سیستم‌های EUV High-NA باشیم.

فراموش نکنید تولید انبوه ویفرهای دو نانومتری TSMC در اواخر سال ۲۰۲۵ آغاز می‌شود، اگر این چنین باشد انتظار می‌رود تولید انبوه محصولات با بهره‌مندی از تکنولوژی ساخت 1.4 نانومتری TSMC در سال 2028 آغاز شود.
با در نظر گرفتن زمان روی کار آمدن این لیتوگرافی، استفاده از سیستم‌های گران‌قیمت و پیشرفته‌ EUV High-N برای تولید ویفرهای ۱.۴ نانومتری دور از انتظار نیست. اینتل قصد دارد از سال ۲۰۲۵ به بعد سراغ استفاده از این سیستم‌های تولیدی برود.

فعلاً مشخص نیست اینتل چگونه با لیتوگرافی ۱.۴ نانومتری TSMC رقابت خواهد کرد. گفته می‌شود تیم آبی در سال ۲۰۲۵ لیتوگرافی ۱.۸ نانومتری (18A) را معرفی می‌کند. این یعنی اینتل احتمالاً تا سال ۲۰۲۸ حداقل یک لیتوگرافی جدیدتر دارد.

تازه ترین ها
سرمایه‌گذاری
1404/07/16 - 15:55- آمریکا

سرمایه‌گذاری شرکت های آمریکایی در صنعت برق

به علت رونق مراکز داده و هوش مصنوعی در آمریکا، سرمایه‌گذاری در صنعت برق افزایش‌یافته است.

هجوم
1404/07/16 - 14:57- هوش مصنوعي

هجوم کسب‌وکارهای اروپایی به سمت هوش مصنوعی

کسب‌وکارهای کوچک اروپایی بدون ابزارهای دیجیتال اولیه به سمت هوش مصنوعی هجوم می‌آورند.

اولین
1404/07/16 - 13:04- آمریکا

اولین قانون امنیت سایبری در برزیل

برزیل اولین قانون ملی امنیت سایبری را تصویب خواهد کرد.

مطالب مرتبط

در این بخش مطالبی که از نظر دسته بندی و تگ بندی مرتبط با محتوای جاری می باشند نمایش داده می‌شوند.