about-3 back-contact back-deep eitaa کانال روبیکاخبرگزاری سایبربان
مطالب پربازدید
جایزه
1404/03/25 - 08:09- تروریسم سایبری

جایزه 10 میلیون دلاری برای گروه هکری نجات دهنده سامانه‌های پدافندی

ایالات متحده اخیراً با اعلام بیانیه‌ای از تعیین جایزه 10 میلیون دلاری برای مرموزترین دشمن سایبری خود به نام مِستر سول خبر داد.

اعتراف
1404/03/28 - 09:08- تروریسم سایبری

اعتراف منابع صهیونیستی به نفوذ سایبری ایران در پخش تصاویر پشت‌پرده

منابع صهیونیستی به نفوذ سایبری ایران در پخش تصاویر پشت‌پرده اعتراف کردند.

حمله
1404/03/27 - 20:40- آسیا

حمله سایبری به بانک سپه

هکرهای گنجشک درنده(گروهی منتسب به آمریکا) مدعی حمله سایبری به بانک سپه شدند.

به نظر می‌آید شرکت TSMC کار تحقیق و توسعه بر روی فناوری ساخت تراشه‌های 1.4 نانومتری را آغاز کرده

به گزارش کارگروه فناوری اطلاعات سایبربان ؛ بر اساس گزارش‌های منتشر شده به نظر می‌آید شرکت TSMC کار تحقیق و توسعه بر روی فناوری ساخت تراشه‌های 1.4 نانومتری را آغاز کرده و به نظر می‌آید تراشه‌ساز تایوانی در آینده‌ای نزدیک جزئیات جدیدی درباره روند ساخت آنها منتشر کند.

در کارخانه‌های تولید پردازنده، فرایند تحقیق و توسعه هیچ‌گاه متوقف نمی‌شود. پس از آنکه TSMC اعلام کرد تولید ویفرهای مبتنی‌ بر لیتوگرافی دو نانومتری را در سال ۲۰۲۵ وارد مرحله‌ تولید انبوه می‌‌کند، ظاهراً این شرکت تایوانی به فکر توسعه لیتوگرافی پیشرفته‌تر افتاده است.

اگر شایعه‌ جدید حقیقت داشته باشد، TSMC در ماه آینده‌ میلادی رسماً فرایند تحقیق و توسعه‌ لیتوگرافی ۱.۴ نانومتری را آغاز خواهد کرد. به نظر می‌آید TSMC تصمیم گرفته تیم توسعه دهنده‌ نودهای 3 نانومتری خود را در ماه June، مسئول تحقیق و توسعه‌ فناوری ساخت تراشه‌های 1.4 نانومتری کند.

کارخانه‌ها و شرکت‌های طراح تراشه به‌طور معمول هیچ‌وقت زودتر از زمان رونمایی دستاوردهای جدید خود چیزی اعلام نمی‌کنند. بنابراین بعید است که TSMC رسما در ماه‌های آتی خبر تحقیق و توسعه خود بر روی فناوری 1.4 نانومتری را اعلام کند.

TSMC در اواسط ماه آینده‌ میلادی (حدوداً اواخر خرداد) کنفرانس جدیدی برگزار می‌کند. ممکن است در آن مراسم شاهد معرفی کوتاه فناوری بعد از N2 باشیم.

روند استاندارد توسعه‌ لیتوگرافی‌های جدید شامل فرایندی تحت عنوان مسیریابی و سپس آغاز مراحل تحقیق و توسعه می‌شود. تخمین زده می‌شود که مسیریابی برای نودهای 2 نانومتری به اتمام رسیده و تیم‌های فیزیک و شیمی متخصص در این زمینه کار تحقیقاتی برای نودهای 1.4 نانومتری را آغاز کرده‌اند.

لیتوگرافی N2 شرکت TSMC متکی‌بر ترانزیستورهای GAAFET است. با در نظر گرفتن اطلاعات منتشرشده درباره‌ N2 احتمال دارد نسخه‌ بعدی آن نیز همچنان از ترانزیستورهای GAA استفاده کند. نکته‌ مهم‌تر این است که شاید در روند تولید لیتوگرافی ۱.۴ نانومتری شاهد استفاده از سیستم‌های EUV High-NA باشیم.

فراموش نکنید تولید انبوه ویفرهای دو نانومتری TSMC در اواخر سال ۲۰۲۵ آغاز می‌شود، اگر این چنین باشد انتظار می‌رود تولید انبوه محصولات با بهره‌مندی از تکنولوژی ساخت 1.4 نانومتری TSMC در سال 2028 آغاز شود.
با در نظر گرفتن زمان روی کار آمدن این لیتوگرافی، استفاده از سیستم‌های گران‌قیمت و پیشرفته‌ EUV High-N برای تولید ویفرهای ۱.۴ نانومتری دور از انتظار نیست. اینتل قصد دارد از سال ۲۰۲۵ به بعد سراغ استفاده از این سیستم‌های تولیدی برود.

فعلاً مشخص نیست اینتل چگونه با لیتوگرافی ۱.۴ نانومتری TSMC رقابت خواهد کرد. گفته می‌شود تیم آبی در سال ۲۰۲۵ لیتوگرافی ۱.۸ نانومتری (18A) را معرفی می‌کند. این یعنی اینتل احتمالاً تا سال ۲۰۲۸ حداقل یک لیتوگرافی جدیدتر دارد.

تازه ترین ها
همکاری
1404/05/27 - 12:12- آمریکا

همکاری فاکسکان و سافت‌بانک در پروژه استار گیت

فاکسکان و سافت‌بانک تجهیزات مرکز داده را در اوهایو برای پروژه استار گیت تولید می‌کنند.

میزان
1404/05/27 - 12:07- اروپا

میزان پوشش بیمه سایبری در سال 2025

تنها ۴۷ درصد از مشتریان واجد شرایط، پوشش بیمه سایبری در سال ۲۰۲۵ دارند.

نیمی
1404/05/27 - 11:56- اقیانوسیه

نیمی از کاربران اینترنت استرالیا قربانی جرایم سایبری

طبق گفته مؤسسه جرم‌شناسی استرالیا، تقریباً نیمی از کاربران اینترنت در این کشور، قربانی جرایم سایبری هستند.

مطالب مرتبط

در این بخش مطالبی که از نظر دسته بندی و تگ بندی مرتبط با محتوای جاری می باشند نمایش داده می‌شوند.