به گزارش کارگروه فناوری اطلاعات سایبربان به تازگی اطلاعات بیشتری از تراشه‌های جدید سامسونگ به بیرون درز کرده است. به نظر می‌آید که تولید انبوه چیپست‌های ؛2 نانومتری کره‌ای‌ها با ترانزیستورهای نسل سوم GAA از سال آینده میلادی آغاز خواهد شد و می‌توان سری گلکسی S26 را اولین گوشی‌های هوشمند سامسونگ مجهز به تراشه 2 نانومتری دانست.
با کوچکتر شدن ابعاد تراشه‌ها کنترل و هدایت جریان درون آنها دشوارتر می‌شود، اما سامسونگ با ترانزیستورها GAA و طراحی مجدد آنها روی بالا بردن بهره وری متمرکز شده و مصرف انرژی را بهبود داده است. با وجود این ابتکار باز هم سامسونگ با مشکلات بازدهی ویفرهای خود مواجه است.
طبق گزارش wccftech سامسونگ قصد دارد از ترانزیستورهای GAA روی تراشه‌های 2 نانومتری (SF2) خود استفاده کند. تراشه‌هایی که تولید انبوه آنها از سال 2025 میلادی آغاز خواهد شد و اگر غول فناوری کره جنوبی کمی خوش‌شانس باشد سری گلکسی اس 26 اولین گوشی‌های 2 نانومتری این شرکت خواهند بود.
سامسونگ هنوز نتوانسته تراشه‌های مناسبی با فناوری 3 نانومتری را به بازار عرضه کند و همین امر شرکای این شرکت را برای همکاری طولانی مدت مردد کرده است. اکنون این شرکت کره‌ای می‌خواهد سه نسخه از فناوری 3 نانومتری خود را معرفی کند. درست همان کاری که TSMC با فناوری 3 نانومتری خود انجام داده است.
بازدهی پایین ویفرها، چالش سامسونگ در مسیر 2 نانومتری شدن
پیش از این اعلام شده بود که بازده ویفرهای 3 نانومتری GAA سامسونگ به 20 درصد رسیده است، اما غول فناوری کره‌ای توانسته اوضاع را تغییر دهد و این رقم را به سه برابر مقدار اولیه برساند اما با این حال، همچنان سامسونگ در بازدهی از TSMC عقب است. بنابراین جای تعجب نیست که حتی کوالکام و مدیاتک نیز به فناوری شرکت نیمه هادی تایوانی اعتماد بیشتری دارند.
سامسونگ در فرآیند GAA خود از یک فناوری اختصاصی به نام MBCFET استفاده کرده که همان ترانزیستورهای به کار رفته در این تراشه‌هاست. اکنون با ارتقای این فناوری شاهد بهبود عملکرد و بالا رفتن کارایی این چیپست‌ها هستیم.
اکنون سامسونگ قصد دارد نسخه سوم فناوری 3 نانومتری GAA خود را معرفی کند که گفته می‌شود بیش از 50 درصد کاهش اتلاف انرژی و یکپارچگی بالاتر را به دلیل کاهش مساحت ارائه می‌دهد.
پیش از این سامسونگ اعلام کرده بود که فناوری پیشرفته‌تر SF1.4 نیز دو سال بعد یعنی در 2027 وارد فاز تولید شده و روند تولید تراشه با فناوری ساخت 1.4 نانومتری سامسونگ را آغاز خواهد کرد.
