پیروزی نانولولهی کربنی بر مدارهای سیلیکونی
به گزارش واحد فناوری اطلاعات سایبربان؛ بسیاری از دانشمندان چندین دهه است که تلاش میکنند از خواص منحصربهفرد نانولولههای کربنی1، برای ساخت مدارهای الکترونیکی پر قدرت با مصرف انرژی پایین استفاده کنند؛ زیرا نتیجهی این کار افزایش طول عمر باتریها و سرعت ارتباط بیسیم است. به علاوه به کمک این ماده میتوان سرعت پردازشهای انجام شده در ابزارهایی مانند لپتاپ و تلفن هوشمند را نیز افزایش داد.
ساخت ترانزیستور با استفاده از نانولولههای کربنی با چالشهای بسیاری همراه است؛ یکی از این چالش ضخامت این ماده (لولههایی به قطر یک اتم) است؛ بنابراین باوجود این که یک رسانهی مناسب محسوب میشوند؛ نمیتوانند عملکردی مشابه نیمههادیهای فعلی ارائه بدهند.
دانشمندان دانشگاه ویسکانسین-مدیسون آمریکا (University of Wisconsin-Madison)، ادعا میکنند برای اولین بار موفق به ساخت ترانزیستورهایی از جنس مادهی مذکور شدهاند که عملکردی 1.9 برابر بهتر از مدارهای سیلیکونی ارائه میدهد. آنها برای ساخت ترانزیستور مذکور از روش خاصی استفاده کردند تا نانولولهها را در ردیفهایی کنار هم قرار بدهند و یک قطعه با طول و عرض 2.5 سانتیمتر ایجاد بکنند.
از ترانزیستورهایی که با نانولولهی کربنی ساخته میشوند میتوان در ساخت نسل جدید قطعات رایانهای، فناوریهای ارتباطی بیسیم و ابزارهای اینترنت اشیا با برد ارتباطی کم استفاده کرد.
دانشمندان بیان میکنند ترانزیستورهای نانو کربنی در حالی که یکپنجم مصرف انرژی کمتری نسبت به مدارهای امروزی دارند؛ میتوانند عملکردی 5 برابر سریعتر داشته باشند.
__________________
1- نانولولههای کربنی که از صفحات کربن به ضخامت یک اتم و به شکل استوانهای توخالی ساخته شده است