همکاری اینتل و نیروی دریایی آمریکا برای تولید مولتیچیپهای پیشرفته
به گزارش کارگروه فناوری اطلاعات سایبربان ؛ اینتل یکی از سه شرکت جهان است که قادر به تولید پردازنده در نودهای پیشرفته پردازشی است و قرارداد مذکور به این دلیل بستهشده تا با افزایش تنشها بین پکن و واشنگتن، آمریکا از دستیابی به تجهیزات نیمههادی و دیگر تجهیزات، اطمینان حاصل کند.
طبق گفته WCCFtech، اینتل در بیانیه خود ارزش مادی این قرارداد را مشخص نکرده؛ اما همانطور که از نام قرارداد پیداست شامل توسعه نمونه اولیه تراشههایی که میشود که چندلایه چیپ را رویهم قرار میدهند و در صنعت نیمههادی بانام «چیپلت» شناخته میشوند.
چیپلتها پاسخ صنعت به مشکلات افزایش هزینهای است که سازندگان تراشهها با افزایش مقیاس نودهای پردازشی، با آن مواجه میشوند هرچه پروسه تولید نودها پیشرفت میکند، هزینه ساخت یک قالب سیلیکونی هم بالاتر میرود. در این میان چیپلت به سازندگان این امکان را میدهد تا قالبهای کوچکتری تولید کنند و سپس آنها را از طریق TSV ها، سیمهای کوتاه، اینترپوزرها (Interposer) و دیگر تکنولوژیها به یکدیگر متصل کنند.
اینتل در رویداد Architecture Day در سال ۲۰۱۸، از تکنولوژی چندلایه Foveros 3D خود رونمایی کرد. یکی از مزیتهای اصلی فناوری Foveros اینتل این است که مزاحم دیگر اجزای پک شده نیست. این بدان معناست که خود چیپ متغیرهای عملکرد و نشتی جریان را چک میکند و بنابراین محیطی کنترل شده ایجاد میشود. اینتل علاوه بر Foveros، چندین تراشه را با فناوری EMIB خود که TSV ها را از معادله اتصال و Co-EMIB حذف میکند، به یکدیگر متصل میکند؛ این عمل، فرایندی است که EMIB و Foveros باهم ترکیب میکند.
فناوری EMIB اینتل از اتصالات فلزی داخل یک پل سیلیکونی استفاده میکند که دو قالب جداگانه روی آن قرار میگیرد و به دلیل تراکم بالای میکروبامپهایی که به این پل متصل هستند، انرژی کل پکیج را نیز بهبود میدهد. نیروی دریایی ایالاتمتحده قصد دارد از این سه فناوری برای ادغام تراشههای هدفمند خود با محصولات اینتل مانند پردازندهها، چیپهای FPGA و ASIC ها استفاده کند.
قرارداد اینتل و نیروی هوایی آمریکا در حالی بسته شد که اینتل روز تولید سال ۲۰۲۰ خود را جشن گرفت و در آن توانایی خود در ساخت تجهیزات نیمههادی را به نمایش گذاشت. اینتل در این رویداد نشان داد که در هر ثانیه ۱۰ میلیارد ترانزیستور تولید میکند و ۴۰۰ میلیون مدار را در یک میلیمتر از تراشههای تولید شده با استفاده فرایند تولید ۱۰ نانومتری خود جای میدهد.
