about-3 back-contact back-deep eitaa کانال روبیکاخبرگزاری سایبربان
مطالب پربازدید
بازار
1405/02/02 - 13:10- بررسی تخصصی

بازار سیاه فیلترشکن در زمان قطع اینترنت؛ از قیمت‌های میلیونی تا موج گسترده کلاهبرداری

مقاله ای از کارشناس سایبری مهیار خدادادی پیرامون مسئله فیلتر شکن ها در زمان قطعی اینترنت بین المللی

در
1405/02/01 - 15:13- ایران

در غم از دست دادن پدر امت به سوگ نشسته ایم

در غم از دست دادن پدر امت به سوگ نشسته ایم

بیش
1405/04/01 - 16:36- آسیب پذیری

بیش از ۴ هزار روتر دی‌لینک به بات‌نت AryStinger آلوده شدند

پژوهشگران امنیتی از شناسایی بات‌نت جدیدی با نام AryStinger خبر داده‌اند که با سوءاستفاده از آسیب‌پذیری‌های قدیمی، بیش از ۴ هزار روتر فرسوده دی‌لینک را آلوده کرده است.

انتشار شده در تاریخ

تولید ترانزیستورهایی در ابعاد DNA

پژوهشگران چینی موفق شدند ترانزیستورهایی با معماری 3 نانومتری تولید کنند.

به گزارش کارگروه فناوری اطلاعات سایبربان؛ دانشمندان چینی به تازگی اعلام کردند موفق به ساخت ترانزیستوری شده‌اند که علاوه برافزایش قابل‌توجه کارایی ریزتراشه‌ها، انرژی مصرفی آن‌ها را نیز تا حد زیادی کاهش می‌دهد.

در حال حاضر پیشرفته‌ترین تراشه‌های رایانه‌ای موجود در بازار از ترانزیستورهای 7 نانومتری بهره می‌برد. یین هواکسیانگ (Yin Huaxiang) معاون مدیر ابزارهای میکروالکترونیک و فناوری یکپارچه در موسسه میکروالکترونیک دانشگاه علوم چین و گروهش موفق شدند در محیط آزمایشگاهی ترانزیستوری 3 نانومتری تولید کنند. این قطعه ابعادی معادل رشته‌ی DNA داشته و می‌توان میلیاردها عدد از آن را روی تراشه‌ای در ابعاد ناخن کار گذاشت.

هواکسیانگ توضیح داد هر چه تعداد ترانزیستورهای موجود روی یک تراشه بیشتر باشد، قدرت پردازش آن نیز افزایش پیدا می‌کند. این قطعات بلاک‌های سازنده پردازنده‌ها هستند. یک نمونه‌ی 3 نانومتری تا حد قابل‌توجهی روی سرعت محاسبات و انرژی مصرفی تأثیر می‌گذارد. برای نمونه یک کاربر تلفن هوشمند می‌تواند به کمک چنین تراشه‌ای، سنگین‌ترین بازی‌های ویدئویی موجود را بدون نگرانی از مصرف باتری، در تمام طول روز انجام دهد.

پژوهشگر یاد شده اشاره کرد، گروه وی باید به رفع چالش‌های مختلفی مانند توزیع الکترون‌ها در فضایی چنین متراکم بپردازند. به این معنی که با کوچک‌تر شدن ترانزیستورها، گرمای تولیدی تراشه به واسطه انتقال الکترونی درون آن افزایش می‌یابد. این موضوع می‌تواند در نهایت به نابودی تراشه منجر شود.

مقام یاد شده ادامه داد، آن‌ها با استفاده از روشی به نام ظرفیت منفی (negative capacitance) موفق شدند تنها حداقل با نیمی از برق موردنیاز، انرژی ترانزیستور را تأمین کنند.

وی گفت:

دستاورد آن‌ها تنها یک یافته‌ی آزمایشگاهی دیگر نیست؛ بلکه از ظرفیت بالقوه‌ی بالایی برای حضور در دنیای واقعی برخوردار است.

شرکت سامسونگ کره جنوبی نیز به طور مشابه در حال تحقیق روی توسعه ترانزیستورهای 3 نانومتری است و در نیمه‌ی اول سال 2020 آن‌ها را تجاری‌سازی خواهد کرد. این شرکت توضیح می‌دهد مصرف نمونه‌های 3 نانومتری نسبت به 7 نانومتری به نصف کاهش‌یافته و توان پردازشی آن تا 35 درصد افزایش پیدا کرده است.

تازه ترین ها
بیش
1405/04/01 - 16:36- آسیب پذیری

بیش از ۴ هزار روتر دی‌لینک به بات‌نت AryStinger آلوده شدند

پژوهشگران امنیتی از شناسایی بات‌نت جدیدی با نام AryStinger خبر داده‌اند که با سوءاستفاده از آسیب‌پذیری‌های قدیمی، بیش از ۴ هزار روتر فرسوده دی‌لینک را آلوده کرده است.

در
1405/02/01 - 15:13- ایران

در غم از دست دادن پدر امت به سوگ نشسته ایم

در غم از دست دادن پدر امت به سوگ نشسته ایم

اذعان
1405/01/23 - 16:31- ایران

اذعان رسانه غربی به موفقیت ایران در جنگ رسانه‌ای برابر آمریکا

رسانه های غربی اعتراف کردند ایران در جنگ رسانه ای با استفاده از هوش مصنوعی دست برتر را دارد