about-3 back-contact back-deep eitaa کانال روبیکاخبرگزاری سایبربان
مطالب پربازدید
بازار
1405/02/02 - 13:10- بررسی تخصصی

بازار سیاه فیلترشکن در زمان قطع اینترنت؛ از قیمت‌های میلیونی تا موج گسترده کلاهبرداری

مقاله ای از کارشناس سایبری مهیار خدادادی پیرامون مسئله فیلتر شکن ها در زمان قطعی اینترنت بین المللی

در
1405/02/01 - 15:13- ایران

در غم از دست دادن پدر امت به سوگ نشسته ایم

در غم از دست دادن پدر امت به سوگ نشسته ایم

بزرگ‌ترین
1405/01/10 - 16:13- جنگ سایبری

بزرگ‌ترین حمله سایبری به شرکت‌های نفتی امارات

شرکت های نفتی امارات مورد حمله سایبری گروه هکری نصیر قرار گرفت

به نظر می‌آید شرکت TSMC کار تحقیق و توسعه بر روی فناوری ساخت تراشه‌های 1.4 نانومتری را آغاز کرده

به گزارش کارگروه فناوری اطلاعات سایبربان ؛ بر اساس گزارش‌های منتشر شده به نظر می‌آید شرکت TSMC کار تحقیق و توسعه بر روی فناوری ساخت تراشه‌های 1.4 نانومتری را آغاز کرده و به نظر می‌آید تراشه‌ساز تایوانی در آینده‌ای نزدیک جزئیات جدیدی درباره روند ساخت آنها منتشر کند.

در کارخانه‌های تولید پردازنده، فرایند تحقیق و توسعه هیچ‌گاه متوقف نمی‌شود. پس از آنکه TSMC اعلام کرد تولید ویفرهای مبتنی‌ بر لیتوگرافی دو نانومتری را در سال ۲۰۲۵ وارد مرحله‌ تولید انبوه می‌‌کند، ظاهراً این شرکت تایوانی به فکر توسعه لیتوگرافی پیشرفته‌تر افتاده است.

اگر شایعه‌ جدید حقیقت داشته باشد، TSMC در ماه آینده‌ میلادی رسماً فرایند تحقیق و توسعه‌ لیتوگرافی ۱.۴ نانومتری را آغاز خواهد کرد. به نظر می‌آید TSMC تصمیم گرفته تیم توسعه دهنده‌ نودهای 3 نانومتری خود را در ماه June، مسئول تحقیق و توسعه‌ فناوری ساخت تراشه‌های 1.4 نانومتری کند.

کارخانه‌ها و شرکت‌های طراح تراشه به‌طور معمول هیچ‌وقت زودتر از زمان رونمایی دستاوردهای جدید خود چیزی اعلام نمی‌کنند. بنابراین بعید است که TSMC رسما در ماه‌های آتی خبر تحقیق و توسعه خود بر روی فناوری 1.4 نانومتری را اعلام کند.

TSMC در اواسط ماه آینده‌ میلادی (حدوداً اواخر خرداد) کنفرانس جدیدی برگزار می‌کند. ممکن است در آن مراسم شاهد معرفی کوتاه فناوری بعد از N2 باشیم.

روند استاندارد توسعه‌ لیتوگرافی‌های جدید شامل فرایندی تحت عنوان مسیریابی و سپس آغاز مراحل تحقیق و توسعه می‌شود. تخمین زده می‌شود که مسیریابی برای نودهای 2 نانومتری به اتمام رسیده و تیم‌های فیزیک و شیمی متخصص در این زمینه کار تحقیقاتی برای نودهای 1.4 نانومتری را آغاز کرده‌اند.

لیتوگرافی N2 شرکت TSMC متکی‌بر ترانزیستورهای GAAFET است. با در نظر گرفتن اطلاعات منتشرشده درباره‌ N2 احتمال دارد نسخه‌ بعدی آن نیز همچنان از ترانزیستورهای GAA استفاده کند. نکته‌ مهم‌تر این است که شاید در روند تولید لیتوگرافی ۱.۴ نانومتری شاهد استفاده از سیستم‌های EUV High-NA باشیم.

فراموش نکنید تولید انبوه ویفرهای دو نانومتری TSMC در اواخر سال ۲۰۲۵ آغاز می‌شود، اگر این چنین باشد انتظار می‌رود تولید انبوه محصولات با بهره‌مندی از تکنولوژی ساخت 1.4 نانومتری TSMC در سال 2028 آغاز شود.
با در نظر گرفتن زمان روی کار آمدن این لیتوگرافی، استفاده از سیستم‌های گران‌قیمت و پیشرفته‌ EUV High-N برای تولید ویفرهای ۱.۴ نانومتری دور از انتظار نیست. اینتل قصد دارد از سال ۲۰۲۵ به بعد سراغ استفاده از این سیستم‌های تولیدی برود.

فعلاً مشخص نیست اینتل چگونه با لیتوگرافی ۱.۴ نانومتری TSMC رقابت خواهد کرد. گفته می‌شود تیم آبی در سال ۲۰۲۵ لیتوگرافی ۱.۸ نانومتری (18A) را معرفی می‌کند. این یعنی اینتل احتمالاً تا سال ۲۰۲۸ حداقل یک لیتوگرافی جدیدتر دارد.

تازه ترین ها
بیش
1405/04/01 - 16:36- آسیب پذیری

بیش از ۴ هزار روتر دی‌لینک به بات‌نت AryStinger آلوده شدند

پژوهشگران امنیتی از شناسایی بات‌نت جدیدی با نام AryStinger خبر داده‌اند که با سوءاستفاده از آسیب‌پذیری‌های قدیمی، بیش از ۴ هزار روتر فرسوده دی‌لینک را آلوده کرده است.

در
1405/02/01 - 15:13- ایران

در غم از دست دادن پدر امت به سوگ نشسته ایم

در غم از دست دادن پدر امت به سوگ نشسته ایم

اذعان
1405/01/23 - 16:31- ایران

اذعان رسانه غربی به موفقیت ایران در جنگ رسانه‌ای برابر آمریکا

رسانه های غربی اعتراف کردند ایران در جنگ رسانه ای با استفاده از هوش مصنوعی دست برتر را دارد